消息称三星电子完成900层超高堆叠3D NAND闪存原型开发

多家产业链消息人士透露，三星电子已在内部完成约900层堆叠的超高层3D NAND闪存原型芯片开发，用于验证未来旗舰级SSD和UFS产品的关键工艺与可靠性；目前三星尚未对外官宣量产时间表，但若消息属实，将意味着其在向“1000层时代”冲刺中率先完成技术样机验证，有望在下一轮高层数3D NAND竞赛中抢占先机。