英特尔研发XBM内存架构，降低AI内存成本，无需HBM硅中介层

截至7月8日，英特尔一项最新公开的专利显示其正在开发名为XBM的新型高带宽内存架构，通过取消HBM所需的硅中介层并采用UCIe互连和BEOL DRAM堆叠设计，以在保持与HBM4相近封装尺寸的基础上降低AI系统的内存与封装成本并缓解“内存墙”瓶颈。

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英特尔XBM专利曝光：在AI时代重画高带宽内存版图

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XBM技术路线：BEOL DRAM堆叠与UCIe芯粒互连的结合

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绕开HBM硅中介层：成本、良率与AI“内存墙”的缓解

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产业影响与前景：与HBM4的竞争、生态博弈及不确定性

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