消息称英伟达计划自研HBM Base Die

最新消息显示，英伟达计划自研HBM（高带宽内存）基础裸片（Base Die），已决定未来无论采用哪家厂商的HBM产品，基础裸片必须由自家设计。据业内传闻，英伟达采用3纳米制程的自研基础裸片预计将于2027年下半年开始小规模量产。此前，英伟达已于2024年8月向美国专利局提交了一项3D堆叠式

英伟达自研计划细节

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