SK海力士、三星加速HBM商业化，明年或用于英伟达产品

韩国存储巨头SK海力士与三星电子正加速推进High Bandwidth Flash（HBF，高带宽闪存）技术的商业化进程，该技术结合了HBM的3D堆叠优势与NAND闪存的高密度特性，有望在2027年应用于英伟达新一代AI产品。据行业消息，SK海力士已与闪迪签署合作备忘录，计划于2026年下半年推出HBF样品，其带宽可能超过1638GB/s，容量达512GB，专为AI推理场景设计，性能较传统SSD提升数倍。