Rapidus于2022年8月在日本成立,旨在量产下一代的尖端半导体。本期视频,我们一起聊聊Rapidus、东京大学与法国半导体研究机构Leti合作开发1nm绕闸极GAA纳米线工艺制程,介绍一下背后关键的GAA Nanowire FET技术。
Rapidus于2022年8月在日本成立,旨在量产下一代的尖端半导体。本期视频,我们一起聊聊Rapidus、东京大学与法国半导体研究机构Leti合作开发1nm绕闸极GAA纳米线工艺制程,介绍一下背后关键的GAA Nanowire FET技术。
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