本文来自微信公众号： 时代周报 ，编辑：郭儒逸，作者：朱成呈，原文标题：《内存条“价格跳水”上了热搜，但拐点可能还早！》
过去几个月，内存条价格一路上涨，被渠道称为“电子黄金”，“一盒内存条价格堪比上海一套房”。但最近，零售市场情绪突然转向。
电商平台和线下市场频繁出现“价格跳水”“断崖暴跌”的说法，并一度登上热搜。这种来自消费者的体感变化，容易被放大为一个更宏观的判断：内存价格周期是否已经触顶，甚至开始反转。
但如果将视角切换到产业链上游，这一结论并不成立。
就在几天前，三星电子完成第二季度DRAM合约价谈判，整体价格较第一季度上涨约30%。而在此前的第一季度，其平均涨幅已接近100%。这一轮调价不仅覆盖通用DRAM，也包括高带宽内存（HBM），反映的是全品类价格的平均抬升。
换句话说，在渠道出货价格下降的同时，原厂价格仍在上行。
这种背离并不罕见。内存市场的价格体系，本质上分为合约价与现货价两套机制：前者由原厂与大客户谈判决定，反映中期供需预期；后者则更多受到渠道商库存、情绪与短期需求波动影响。
TrendForce集邦咨询认为，近期现货价走弱，反映的是消费型产品无力承受成本而下修生产计划，通路抛售去库存因应，整体存储器供应短缺现况并未改变。
多项数据也印证了这一点。截至3月底，DRAMeXchange数据显示，C端DDR4 8Gb颗粒的固定合约价环比持平；PCPartPicker数据则显示，近期DDR4与DDR5成品价格并未出现明显下跌，反而有小幅上行。
△图源：PCPartPicker官网
所谓“暴跌”，更多是发生在渠道层面的短期波动，而非整个市场的价格塌陷。
从需求端看，当前内存市场已明显分化为两条主线：一是消费电子，二是企业级基础设施。
消费电子领域，苹果正在疯狂抢货。产业链消息显示，苹果今年的策略比任何时候都更加激进，正以较高价格锁定移动DRAM供给，即便因此压缩部分产品利润率，也优先确保供应稳定。知名分析师郭明錤指出，在存储芯片市场格局动荡的背景下，苹果可通过承担高昂的内存成本、牺牲部分产品利润率来稳定自身产品定价，以此扩大市场占有率。
更关键的，是企业级需求。随着大模型与云计算基础设施持续扩张，对高带宽内存（HBM）及服务器DRAM的需求呈现出结构性爆发。谷歌、微软等云服务厂商，正在尝试与SK海力士签署多年期供应协议，合同不仅设定价格下限，还引入预付款机制。
这意味着，部分需求开始被“提前锁定”。当价格不再完全由市场波动决定，周期的弹性也会被压缩。
另一方面，需求在大幅增长，供给却没有同步释放。
从供给侧看，全球DRAM市场长期呈现高度集中格局。三星、SK海力士与美光三家厂商，占据超过90%的产能。三大原厂的资本开支与产能节奏，几乎直接决定了行业供需关系。
现在三家的共同选择是扩大投入，例如三星已重启位于韩国平泽的P5晶圆厂建设，目标投产时间在2028年前后；SK海力士清州产线于2026年4月开工建设，预计于2027年底竣工。龙仁工厂原定于2027年5月投产，现已提前三个月；美光则通过收购力积电厂区补充制造能力，并强化后段封装合作。
然而，这些新增产能大致在2027年至2030年才集中释放，短期内供给不会明显增加。与此同时，三大原厂正主动收缩DDR4产能，加速向DDR5与HBM迁移。制程切换与产品结构升级，带来阶段性的产能空窗期，使得短期供给进一步收紧。这也是近期终端市场出现波动，原厂价格仍能维持上涨的原因。
换句话说，2026年第二季度的内存市场，更像是“涨得慢了”，而不是“开始下跌”。
当然，这并不意味着内存行业的周期消失。相反，本轮周期正在被“拉长”，其拐点也将由传统的消费电子需求波动，转向更复杂的变量所决定。
可以预见，未来价格回落主要取决于两个因素。其一，是HBM供给的释放节奏。当前HBM产能高度紧张，并在一定程度上“挤占”传统DRAM产线资源。随着新产线陆续投产，HBM供给显著增加，其对整体产能的挤占效应减弱，供需关系可能逐步走向宽松。
其二，是技术路径的变化。业内已经开始讨论以HBF为代表的新型存储架构。这一方案以NAND闪存替代DRAM进行堆叠，在部分应用场景中具备替代HBM的潜力。按照产业界的判断，相关工程样品或在2027年前后出现，最早到2028年有望进入实际应用。
如果这一技术路径实现突破，并对现有需求形成替代，当前以HBM为核心的内存价格体系，将面临重新定价。
从历史经验看，真正引发周期反转的，往往不是需求的小幅波动，而是供给的集中释放或技术范式的切换。一旦条件具备，价格调整的幅度，反而可能远超市场预期。
因此，当下渠道端的“降温”，更接近一次库存与情绪驱动的短期修正，而非周期意义上的拐点。在AI需求和产能约束的共同作用下，内存价格仍有支撑。当前上涨的速度可能放缓，但缺乏下行的基础。
内存价格不会马上逆转性下跌。真正的拐点，更可能出现在供给集中释放或技术路径改变之后。