本文来自微信公众号： 和讯 ，作者：和讯财经研究
6月17日，HBM及存储芯片概念股强势拉升，香农芯创+20%、宏昌电子+10%等多股涨停，HBM指数（8841738.WI）涨超6%。拉长时间来看，2026年开年以来，该指数已累计大涨101%，联瑞新材、宏昌电子等相关概念股累计涨幅超200%。
涨势背后，是HBM比GPU更为严峻的供需失衡。
SEMI中国总裁冯莉曾指出，2026年HBM市场规模增长58%至546亿美元；尽管三星、SK海力士、美光已将70%的新增产线倾斜至HBM，产能缺口依然高达50%至60%。
高盛等多家投行机构亦给出结论：这场“内存荒”绝非短期脉冲，HBM供不应求的结构性短缺至少将持续到2028年。
这不是一场普通的供需失衡，而是一场关乎AI产业话语权的战略资源争夺。在这场没有硝烟的战争中，HBM超级缺口所创造的巨额利润，到底被谁赚走了？中国产业链又能在哪个环节分到蛋糕？
01
投资算力，为什么HBM很重要？
没有HBM，再强的GPU也只是“空转引擎”。
很多人以为AI的瓶颈是算力，但真正的卡脖子环节是“数据喂不饱核心”。训练大模型需要算力，推理应用需要带宽；而带宽的尽头，就是HBM。
简单理解：GPU是赛车引擎，HBM是燃油喷射系统。如果燃油供给速度跟不上，引擎马力再大也只能空转。HBM正是解决这一“内存墙”瓶颈的关键：它通过3D堆叠技术，把多块DRAM芯片像“叠罗汉”一样垂直封装，再用数千条微细通道（TSV硅通孔）同时传输数据，带宽远超传统DDR内存。
一句话：HBM不是AI的“可选配件”，而是决定AI能走多快的“氧气瓶”。没有它，再强的算力也只能窒息。
02
HBM缺货，凭什么说这不是短期炒作？
三年结构性缺口：这不是周期，是“物理锁死”。
HBM短缺不是周期性炒作，而是由AI模型参数爆发、推理需求崛起、HBM"吞噬"产能等多重力量驱动的结构性长期缺口。
需求端，HBM需求由"算力军备竞赛"驱动，只要AI基础设施长期资本开支不停，HBM需求就维持刚性高位。供给侧，SK海力士、三星、美光三大厂商2026年HBM产能全部售罄。即便现在决定扩产，受限于TSV（硅通孔）工艺、先进封装良率、设备交付周期等物理约束，新增产能释放最快也要到2028-2029年。
国际投行普遍认为紧张局面将延续至2028年，供不应求是至少3年级别的产业趋势，而非季度行情。
当需求是刚性的、产能是锁死的，价格就有了最硬的支撑。
03
谁站在利润分配链顶端？
HBM利润呈"金字塔"分配：越靠近技术核心与瓶颈环节，分配比例越高。
头部存储原厂凭借技术垄断和产能稀缺，赚取了产业链中的绝大部分超额利润。据统计，SK海力士、三星与美光毛利率突破70%甚至80%，成为本轮“超级周期”的核心受益者。
而HBM三巨头的定价权建立在对英伟达等大客户的深度绑定之上。6月5日，黄仁勋首次公开证实，SK海力士、三星电子和美光科技均已通过认证，可为英伟达AI加速器供应最先进的高带宽存储芯片。客户认证周期长达6-12个月，一旦锁定便不轻易更换，这意味着存储原厂的话语权短期内难以撼动。
先进封装是HBM产业的隐形瓶颈。台积电CoWoS封装晶圆均价已逼近7nm先进制程水平（约1万美元/片），且产能连续两年翻倍仍供不应求。
设备与材料商是“卖铲子的人”。设备与材料商受益于全球HBM扩产的确定性订单，业绩能见度最高，但其利润率弹性不及原厂。
04
中国存储的HBM地图
在HBM超级缺口的产业巨浪中，中国产业链正从晶圆攻坚、先进封装、设备材料三大方向同步突围。
国内HBM的晶圆制造面临制程差距与设备封锁双重夹击。长鑫存储负责HBM的DRAM前端工艺，长江存储贡献3D封装技术，双方联合攻坚。这一环节技术壁垒高，国产替代周期长，属于“战略储备”而非“短期业绩”。
封装是中国更现实的突破口。通富微电与长电科技分别依托AMD供应链优势及XDFOI平台，在2.5D/3D先进封装领域处于国内领先地位。台积电CoWoS产能紧缺外溢至OSAT企业，为长电、通富等创造了增量订单空间。
设备材料端，中国已实现若干关键突破。北方华创、中微公司在TSV刻蚀和薄膜沉积设备方面取得进展。雅克科技前驱体材料绑定SK海力士、三星等国际客户，联瑞新材是国内唯一实现Low-α球形氧化铝量产的企业，产品通过EMC厂商间接进入全球头部存储大厂供应链。这些上游“卖水人”正在从全球HBM扩产中持续受益。
一句话总结：晶圆端看“突破”，封装端看“订单”，设备材料端看“产能”。三条路线中，封装与材料端的国产替代窗口已经打开，是现阶段产业链上“看得见、摸得着”的环节。