本文来自微信公众号： 袁振商业笔记 ，作者：袁振，原文标题：《3万亿长鑫，「第四把椅子」能坐多久？》
7月27日，长鑫科技（688825.SH）登陆科创板。发行价8.66元，收盘49元，首日涨幅465.82%；按收盘价计算，总市值约3.28万亿元，超过工商银行，成为当日A股市值第一。全天成交额约1411.87亿元，刷新A股个股单日成交纪录。[1]
更引人注目的是利润。2026年一季度，长鑫实现营业收入508.00亿元，净利润330.12亿元，其中归属于母公司股东的净利润为247.62亿元。截至2025年末，公司累计未弥补亏损为366.50亿元。换句话说，一个季度的归母净利润已经相当于这一余额的约三分之二，且公司预计2026年上半年归母净利润为500亿至570亿元。[2]
但3万亿元真正值得讨论的，不是“涨了多少”，而是两个更深的问题：长鑫的扩产会不会缓解通用DRAM的紧缺？以及，在由三星、SK海力士和美光主导十余年的牌桌上，第四名能不能真正坐稳？
图：袁振绘制
两套打法
要理解长鑫的位置，先要看清中美两国在存储芯片上截然不同、但又彼此交叉的产业路径。
美国走的是“研发壁垒+制造回流”
美光科技是这条路的代表。
2021年，美光提出未来十年在全球制造和研发领域投入1500亿美元以上；2022年《芯片与科学法案》通过后，美光宣布在本十年内投资400亿美元建设美国本土先进存储制造能力。[3]2025年，美光把美国制造与研发投资计划扩大到约2000亿美元。[4]2026年7月，公司又宣布，到2035年美国晶圆厂及技术投资预计超过2500亿美元，并称这些投资将支持其长期在美国生产40%DRAM的目标。[5]
纽约州克莱的第一罐混凝土已于7月完成浇筑，比原计划提前一个多季度。爱达荷州两座工厂的首批晶圆预计分别在2027年年中和2028年年底产出。美国政府此前向美光在爱达荷州和纽约州的项目提供了约61亿美元《芯片与科学法案》直接拨款。[5][6]
美国商务部长卢特尼克在克莱的活动上说：“特朗普总统已经明确，美国是做生意的地方，全世界正在迅速响应。”[5]
这条路径的核心，是用财政补贴、税收抵免和长期订单把先进制造拉回美国，同时依靠制程、设备、材料、先进封装、客户验证和知识产权构筑综合壁垒。美光2025年宣布累计获得第6万件专利，是该公司历史上全部技术领域的累计专利数量。[7]
中国走的是“吸收技术遗产+长期资本投入”
长鑫的早期DRAM技术积累与奇梦达有关，但交易链条需要分开来看。
2015年，WiLAN旗下Polaris以约3000万欧元从英飞凌收购了约7000项奇梦达专利和专利申请；2019年，长鑫与Polaris签署了涉及部分奇梦达DRAM专利的许可协议和独立专利收购协议。[8][9]
奇梦达在2008年前后率先推进埋入式字线（BWL）架构，并在2009年申请破产。BWL此后成为主流DRAM工艺架构的重要方向之一。
2016年，合肥启动“506”项目。原始方案中，首期总投资约180亿元，合肥方面出资约144亿元，占八成。此后，地方国资和产业资本持续为项目扩产和研发提供长期资金支持，这个事实足以说明资本耐力。[2]
因此，两条路径各有逻辑。美国的优势在技术前沿、设备生态和客户体系；中国的优势在市场纵深、工程化能力和资本耐力。但双方都有现实约束：美光新增美国工厂最早要到2027年才开始产出，短期供给弹性仍有限；长鑫则受先进设备获取、工艺代际、先进封装和客户验证等因素制约。
长鑫扩产会压住内存价格吗？
这是市场真正关心的问题。更准确的答案是：长鑫扩产有望改善中期供给和客户选择，但目前还不能断言它一定会压住全球内存价格。结论取决于产品类型、扩产速度、良率和AI需求增长。
先看通用DRAM，长鑫的主战场
2026年一季度，传统DRAM合约价环比上涨93%至98%，这是TrendForce在季度结束后给出的实际数据。[10]对于二季度，TrendForce在3月31日预计传统DRAM合约价将再上涨58%至63%。[11]
图：袁振绘制
DDR5现货价格也曾出现极端上涨。市场常引用的“上涨627%”，对应的是DDR5 16Gb颗粒从约4.68美元涨至34.08美元的特定区间。
涨价背后是结构性的供给重新分配。三巨头持续把更多先进晶圆投入HBM和服务器内存。TrendForce预计，三巨头HBM晶圆投入占全部DRAM晶圆投入的比例，将从2025年末约18%升至2026年末约22%、2027年末约30%。这足以对通用DRAM形成挤出效应。[12]
缺口给长鑫留下了空间。不同机构对其产能估算并不一致：市场普遍估计，长鑫2025年末月产能约30万片，2026年末可能提升至35万至40万片，但这不是公司正式披露的确定目标。招股书披露，长鑫2025年第四季度全球DRAM收入份额为7.67%；Counterpoint按出货量估计，长鑫2025年全球份额约8%，2026年一季度约9%，并预计2028年达到约11%。[2][13]
这与“2026年底冲击15%至20%”存在明显距离。Counterpoint分析师MS Hwang的原意是，长鑫可能需要至少15%的全球份额，才能具备长期竞争力。[13]
即便如此，第四家规模化供应商的出现仍然有意义。对于中国手机、PC、服务器和模组厂商，它意味着供应来源和议价选择增加。但它是否立刻带来低价，还要看长鑫愿不愿意、能不能以更低价格扩大份额。SemiAnalysis估算，2026年一季度长鑫DRAM平均售价仅比三巨头低约5%至10%，并不是以极低价格“倾销”市场。[9]
因此，更稳妥的判断是：长鑫新增产能有望在未来两到三年增加通用DRAM供给，改善下游客户的谈判地位，并在周期转弱时放大价格下行压力；但在当前供需仍然偏紧的阶段，尚无证据证明它会马上终结涨价。
再看HBM，战略价值最高、验证门槛也最高
HBM是长鑫短期内难以影响全球定价的领域。长鑫招股书没有披露HBM3的具体良率、量产时间、客户验证结果，也没有确认“2026年底试量产、2027年攻克HBM3E”等精确时间表。
与之相比，三星和SK海力士已经分别宣布向客户提供HBM4E样品。[14][15]三巨头继续通过长期供货协议锁定先进产能，HBM市场的技术、封装和客户认证壁垒依然很高。
所以，长鑫上市本身不会立即改变HBM定价。它对市场的现实影响，首先仍将发生在DDR4、DDR5、LPDDR等通用DRAM领域。
媒体还报道，苹果正在寻求美国政府批准从长鑫采购部分DRAM。该消息最初由英国《金融时报》援引知情人士报道，苹果和美国政府尚未公开确认。[16]如果最终获批，它更能说明苹果希望增加供应来源、降低供应链风险和强化议价能力。
结构性的答案或许是，长鑫可能在中期缓解部分消费级和通用DRAM的供给紧张，但价格是否真正下降，还取决于全球需求和三巨头的产能策略；在AI服务器最核心的HBM领域，短期价格战仍然难以发生。
坐稳牌桌需要什么
DRAM行业过去四十年的教训很清楚：坐上牌桌不容易，被周期淘汰往往只差一轮现金流危机。
根据招股书引用的Omdia数据，2015至2025年间，DRAM产品价格最高达到7.89美元/GB，最低为1.78美元/GB，峰谷相差约4.4倍。[2]奇梦达在2009年申请破产，尔必达在2012年申请破产保护。它们的退出既与价格周期有关，也与债务、资本开支、规模和竞争格局有关，不能简单归结为“技术不行”或单一原因。
长鑫的利润质量因此值得持续关注。SemiAnalysis估算，2026年一季度长鑫位元出货量仅环比增长11%，平均售价却环比上涨约57%。这说明利润爆发更多来自价格周期，而不是份额同步跃升。[9]一旦DRAM价格回调，利润和估值都可能快速承压。
但长鑫手里确实有三张过去许多挑战者没有的牌。
第一张是市场纵深
海关总署数据显示，2025年中国集成电路进口额约4243.33亿美元，同比增长10.1%。[17]如此庞大的进口规模，说明中国本土存在巨大的替代空间。
招股书显示，长鑫对一般经销商客户通常采取全额预付款方式；市场上也出现“先款排产”的渠道现象。这说明当前需求旺盛，但预付款和排队并不等于未来需求永远确定。真正决定长鑫能否穿越周期的，仍是终端客户结构、产品竞争力和长期供货关系。[2]
第二张是技术路线上的迂回空间
韩国媒体近期援引业界人士称，长鑫正在探索Bonded DRAM，即把存储阵列和外围控制电路分别制造，再通过晶圆键合实现三维连接。[18]这条路线有机会改善面积利用、性能和工艺组合，并降低部分单片集成的缩放压力。
但这仍是媒体报道，尚未得到长鑫公开确认。所谓“使用DUV就能达到接近EUV的线宽精度”“长鑫已经领先三星和SK海力士”，都把一种潜在技术路线写成了既成事实。更严谨的说法是：Bonded DRAM可能为受设备限制的厂商提供新的工程路径，但能否形成成本、良率和量产优势，要等产品和产线数据验证。
第三张是产业意志
合肥及其他产业资本用十年时间证明，中国DRAM项目能够获得超出普通财务投资周期的资金支持。长鑫本次初始发行约66.88亿股，发行价8.66元，初始发行募资总额约579.19亿元。[19]
招股书原拟使用募集资金净额295亿元投向三个项目：75亿元用于生产线技术升级，130亿元用于DRAM技术升级，90亿元用于前瞻DRAM技术研发。[2]
充足的资金为制程升级、扩产和研发提供了更厚的安全垫，但“这些钱一定够用三到五年”仍然缺少公司的资本开支计划支持。DRAM晶圆厂的投入强度极高，资金能够支撑多久，取决于扩产节奏、设备采购、研发投入和下一轮价格周期。
牌桌上多了一把椅子
长鑫当然还没有安全。先进制程、HBM、设备、专利、客户认证和下一轮价格下行，都是现实考验。
但它已经是全球第四大DRAM厂商，全球DRAM在持续十余年的三强寡头格局之后，第一次出现了来自中国大陆、拥有规模化产能和持续扩产能力的第四家厂商。
图：袁振绘制
3万亿元市值定价的，不只是长鑫已经取得的成绩，也包含了市场对国产存储供给、产业自主和未来技术追赶的高预期。这个预期能否兑现，要看三件事：通用DRAM扩产能否稳定转化为份额，前瞻DRAM和先进封装能否进入规模化量产，以及长鑫能否在下一轮价格下行中保持现金流和研发投入。
过去的挑战者往往不是没有技术，而是没有足够的规模、资金和时间。长鑫拥有的底牌确实比许多历史上的第四名更厚，但它是否能坐稳，仍然需要至少一个完整周期来证明。
现在可以确定的只有一件事：牌桌上，确实多了一把来自合肥的椅子。
参考资料
1.证券时报：《长鑫科技上市首日成交额突破1400亿元》，2026年7月27日。https://stcn.com/article/detail/4043769.html
2.长鑫科技：《首次公开发行股票并在科创板上市招股说明书》，2026年5月。https://static.sse.com.cn/stock/disclosure/announcement/c/202605/002170_20260527_23QQ.pdf
3.Micron Technology,“Micron Announces$40 Billion Investment in Leading-Edge Memory Manufacturing in the US,”2022-08-09.https://investors.micron.com/news-releases/news-release-details/micron-announces-40-billion-investment-leading-edge-memory
4.Micron Technology,“Micron and Trump Administration Announce Expanded U.S.Investments in Leading-Edge DRAM Manufacturing and R&D,”2025-06-12.https://investors.micron.com/news-releases/news-release-details/micron-and-trump-administration-announce-expanded-us-investments
5.Micron Technology,“Micron Accelerates U.S.Investments,Pours First Concrete at New York Fab,”2026-07-09.https://investors.micron.com/news-releases/news-release-details/micron-accelerates-us-investments-pours-first-concrete-new-york
6.U.S.Department of Commerce,“Department of Commerce Awards CHIPS Incentives to Micron for Idaho and New York,”2024-12.https://www.commerce.gov/news/press-releases/2024/12/department-commerce-awards-chips-incentives-micron-idaho-and-new-york
7.Micron Technology,Company Timeline:60,000 lifetime patents.https://www.micron.com/about/company/company-timeline
8.CXMT,“CXMT and WiLAN Subsidiary Had License and Acquisition Agreements.”https://www.cxmt.com/en/news/info_5.html
9.SemiAnalysis,“China’s CXMT Is Set to Challenge DRAM Incumbents,”2026.https://newsletter.semianalysis.com/p/chinas-cxmt-is-set-to-challenge-dram
10.TrendForce,“DRAM Industry Revenue Surges in 1Q26,”2026-06-01.https://www.trendforce.com/presscenter/news/20260601-13070.html
11.TrendForce,“AI Server Demand to Drive Memory Contract Price Increases in 2Q26,”2026-03-31.https://www.trendforce.com/presscenter/news/20260331-12995.html
12.TrendForce,“Tight DRAM Supply Gives Suppliers Greater Pricing Power in HBM,”2026-06-02.https://www.trendforce.com/presscenter/news/20260602-13074.html
13.Associated Press,“Chinese chipmaker CXMT shares soar in blockbuster Shanghai IPO,”2026-07-27.https://apnews.com/article/cxmt-china-memory-chips-debut-shares-9cd8b79866cf4bd5ef7c1cb81215e796
14.Samsung Electronics,“Samsung Electronics Begins Shipment of Industry-First HBM4E Samples,”2026.https://news.samsung.com/global/samsung-electronics-begins-shipment-of-industry-first-hbm4e-samples
15.SK hynix,“12-Layer HBM4E Sample,”2026.https://news.skhynix.com/12-layer-hbm4e-sample/
16.Reuters,“Apple seeks approval to buy chips from blacklisted Chinese company,FT reports,”2026-06-27.https://www.reuters.com/world/asia-pacific/apple-seeks-approval-buy-chips-blacklisted-chinese-company-ft-reports-2026-06-27/
17.海关总署：《2025年12月全国进口重点商品量值表（美元值）》。https://english.customs.gov.cn/Statics/83fb6750-e095-47c6-9890-14979f5a22e8.html
18.ABMedia转述韩国经济新闻：《中国进军“后HBM世代”！长鑫秘研键合DRAM》，2026年7月。https://abmedia.io/china-memory-cxmt-ymtc-bonded-dram-hbm-bypass-korea
19.上海证券报·科创板：《长鑫科技新股资料》。https://kcb.cnstock.com/p/xg/detail/688825