本文来自微信公众号: 未尽研究 ,作者:未尽研究
长鑫存储(CXMT)“中国市值之王”的位置还没坐热,长江存储(YMTC)就要来了。
一家是本土DRAM巨头,出货量全球第四,一季度收入508亿元人民币,扣非归母净利润263亿元;一家是本土NAND巨头,出货量全球第三,同期收入470亿元,扣非归母净利润332亿元。这一轮AI催生的万亿美元市值俱乐部,成员高度集中于美国,长鑫存储是最接近这一梯队的中国企业,当前市值约合5600亿美元——也许很快就要算上长江存储。

(来源:Counterpoint)
不过,若说长鑫的IPO叙事更偏向“弯道超车”,那么长存的IPO则更像“王者归来”。原因在于,它甚至曾一度追平了全球NAND技术的最前沿,只是后来被外部变数打断。如今,它要在技术、市场与生态上完成它未竟的尝试。
长鑫存储要借IPO弯道超车
2026/05/18完整阅读>
早在2021年,AI与芯片分析机构SemiAnalysis便判断,中国有望在NAND领域实现自给自足,并对全球产业格局产生影响。彼时,引发该机构关注的,不仅仅是一家成立于2016年的年轻公司本身,而在于这家公司并非循规蹈矩的技术跟随者。它刚一成立,便尝试以全新架构创新,改写竞争曲线。
存储芯片最核心的经济指标之一,是单bit成本。一颗DRAM或NAND颗粒能否具备市场竞争力,很大程度上取决于如何在有限的晶圆面积和制造成本下,塞进更多bit。
对于NAND而言,提高单位面积存储容量的路径包括:让每个存储单元承载更多bit、在X/Y方向上增加单元密度,向Z轴持续堆叠更多层数,以及重构存储阵列(Array)与外围电路(Peripheral Circuit)的空间关系。
2010年代初,平面NAND的二维微缩逐渐触及物理极限,行业开始转向3D NAND。此后,NAND的竞争就从谁拥有最先进的光刻,转向谁能更有效地沉积、刻蚀、堆叠和连接。这也给后来者留下了更大的技术创新空间。
长江存储最重要的技术突破之一,是率先将晶圆级混合键合,从技术储备真正推进到3D NAND的产业化。简单地说,就是它将存储阵列与外围电路晶圆,并行制备、独立优化,最终利用混合键合技术实现电学互连。
这就是该公司的晶栈(Xtacking)技术。相比当时行业传统的PNC(外围电路邻近存储阵列)架构,它可以释放原本被外围电路占据的横向面积;相比PUC(外围电路集成于存储阵列下方)架构,它降低了制造工艺兼容与热管理约束。
Xtacking更大的好处,在于将存储阵列与逻辑电路相互解耦。这使得它们可以分别采用最适合自己的工艺,不必互相迁就。而且,这种解耦也导致了制造并行化,原本一条很长的串行工艺链,被拆成两条可以同时推进的工艺链。随着3D NAND层数持续增长,这一优势会进一步放大。
但站在2018年回望,混合键合其实并不是一条显而易见的道路。它需要解决晶圆对准、键合可靠性、工艺兼容性和良率等一系列问题,短期内,未必比继续优化传统架构更容易。铠侠后来也沿着类似方向发展CBA架构,并于2023年前后进入量产;三星和SK海力士也已相继将晶圆级混合键合引入下一代3D NAND路线。

(来源:论文《3D NAND闪存技术的演进趋势与挑战》,中国科学:信息科学,2025,55)
Xtacking是一门属于“制造”的工艺学问。率先将新架构从实验室搬进量产车间,可以在持续迭代与制造中学习与创新。
去年底,长江存储的一篇论文,回顾了公司技术演进,并展望了未来方向。它的三位作者也大有来头。通讯作者霍宗亮,是公司首席技术官与首席科学家,主导了公司第1至第5代3D NAND芯片的研发与量产。陈南翔是长江存储董事长;夏志良是相关技术负责人,曾任三星研究所首席工程师。
把论文中Xtacking几代技术的演进放在一起看,会发现,它并不是一个静态架构,而是一条随着NAND层数不断攀升而持续演进的技术路线。每一代技术,都是对新制造瓶颈的一次回应。
Xtacking 1.0第一次把存储阵列和外围电路拆开,验证并建立异质集成与晶圆键合的基本能力,并支撑长存在2019年实现64层产品量产。单栈层数越高,单次沟道孔刻蚀的工艺难度越大,于是,Xtacking 2.0通过双堆栈架构,使得NAND层数提升至128层。但是,层数越高,布线越复杂,为此,2022年的Xtacking 3.0创新了晶背信号与电源引出架构,为NAND走向232层奠定基础。
仅看层数这一最直观的指标,三星当时刚拿出236层定制样品,SK海力士的238层产品仍未量产。行业机构TechInsights随后第一时间拆解了这款芯片,并将长存称为全球领先先驱(Leading Pioneer)。
同样在2022年,年初,长江存储通过苹果验证,即将成为第3家iPhone闪存供应商。但是,到了年底,美国宣布收紧对用于制造128层及以上NAND的半导体设备出口管制,并将长江存储列入实体清单。
这改变了长江存储从技术优势向规模优势、成本优势和市场优势转化的连续性。无法获得设备、材料,影响了工艺架构持续迭代的节奏,也影响了把先进架构稳定地、大规模地、低成本地制造出来。这也影响到它进入高价值美国企业市场,进而削弱了商业与技术的创新闭环。
那一年年底,ChatGPT发布,AI时代降临,并迅速推进至智能体时代。这也重新定义了整个存储产业的地位。无论是长鑫所在的DRAM,还是长存所在的NAND,存储产业都因为AI需求重新成为半导体周期中最受资本关注、盈利弹性最大的细分领域之一。长鑫抢先闪电上市;长存在5月19日正式启动IPO进程,8月19日“辅导验收”,8月21日“获受理”。
长江存储获得了一次“王者归来”的机会。只不过,这一次,王冠的分量要重得多。
它要追回的不只是原本就属于它的技术地位,还包括由技术领先带来的产能、成本和利润优势;更重要的是,它要改变的已不只是自己在产业链中的位置,而是产业链本身的力量分配:从他人供应链中的一环,变成一条围绕自身成长起来的供应链的核心。
在技术与量产层面,SK海力士已经推进到321层,三星286层,美光276层;2025年前后,长存Xtacking进一步迭代至4.0,并引入新的接触与字线架构,以减少高层数NAND中非存储区域对面积和工艺的占用;目前量产产品已推进至267层。很快,整个行业都会进入300层至400层时代。
公司计划募资330亿元人民币,推动产线升级与架构研发。公司未在招股书中披露Xtacking 5.0的相关信息。不过,去年,三星与长存就混合键合相关专利达成许可协议。这至少说明,随着混合键合成为下一代NAND的重要路线,长存围绕Xtacking积累的专利,已经成为国际厂商无法轻易绕开的技术资产;与此同时,长存也获得了三星相关专利的交叉授权,为后续技术迭代增加了专利空间。
尽管在招股书中,长江存储对自己的下一步言之甚少,但它仍在行业分析部分,提及了近期备受关注的HBF技术。这是更庞大,也更重要的市场。
前述论文更是在文末“明示”,Xtacking不只是一个产品,而是一套围绕晶圆级混合键合建立起来的制造能力;NAND只是这套能力最先商业化的载体;HBF可能是它进入AI存储的第二增长曲线。后者也在混合键合、高密度互连和异质集成等技术能力的延长线上。

(来源:论文《3D NAND闪存技术的演进趋势与挑战》)
如果真正实现“王者归来”,那么,长江存储不能只是简单回到2022年所该处的位置,而是带着2022年以来积累的技术能力,进入一个新的技术与产业周期。
目前,据Counterpoint数据,长江存储的NAND出货量全球第三,约为14%,仅次于三星的25%,以及SK海力士及其子公司合计的22%;不过,它的收入仍然排在第五,低于美光与铠侠。它必须把更多bit卖进更高价值的市场,这是下一阶段更重要的挑战。
这也可能是长江存储本次IPO最值得关注的杠杆价值。市场近期再次传出,苹果正在尝试引入长江存储和长鑫存储的产品。
但从产业史来看,这其实是2022年本应完成、却被出口管制打断的一步。而更重要的是,今天的长江存储已经不只是一个其他国家供应链上的国产替代者,而正在成为本土半导体生态创新循环中的核心节点。
在遭遇出口管制后,长江存储要在更高层数上继续突破,就需要高深宽比刻蚀等关键设备。而对于本土的半导体设备厂商而言,最稀缺正是量产场景的生产验证。长江存储恰好在这一时间节点扮演了关键角色。
美国始料未及的新生态正在形成。三星与SK海力士面对中国存储厂商不断扩大的产能压力,也开始加速升级在华NAND产能。今年以来,前者在西安工厂升级236层NAND产能,后者在大连工厂导入238层产能。但它们在中国进一步扩产,始终面临着半导体设备“进口豁免”取消或延迟的风险。月初,路透社报道,两家公司已经开始测试中国本土制造的半导体设备。
也许,这才是长江存储真正意义上的“王者归来”。从技术地位,到规模地位,再到生态地位,IPO可能只是这场归来的序章。
