三星电子改进半导体存储器设计。

据韩国半导体业界近日透露，三星电子正在改进12纳米级动态随机存取存储器（DRAM）“D1b”的设计。三星电子于2023年首次量产“D1b”，应用于显卡DRAM和手机DRAM上。此次改变已生产一年多的DRAM设计是半导体行业中罕见的案例。专业人士表示，改变设计并不是一个容易的决定，制造工艺产生变化后，会提高成本，此举意味着公司有改进工艺和产品的紧迫意识。