三星电子高带宽存储器(HBM)用DRAM良率近期大幅提升。1b DRAM良率达到92%,1c DRAM良率突破75%。这一进展表明三星电子在HBM用DRAM生产技术上取得重要突破。良率提升将直接影响产能和成本效益。半导体行业对HBM需求持续增长,良率提升对市场供应具有重要意义。