一场被称为“超级周期”的存储芯片涨价潮，正持续冲击全球电子产业链。 2025年第四季度，三星、海力士等国际存储原厂已向客户发出通知：DRAM内存和NAND闪存价格将上调最多30%。而这只是序幕。闪迪在11月将NAND闪存合约价大幅调涨50%，已是其年内第三次涨价。 调研机构集邦咨询的数据显示，自9月初至今，DDR4 1Gx8颗粒现货价格环比上涨158%，DDR5 2Gx8颗粒更是大涨307%。NAND闪存因供应极度紧张，报价几乎每日波动。 “这轮涨价从第二季度开始，核心驱动力是AI。”存储方案解决商科摩思市场总监辜建文对凤凰网科技表示，根据行业观察，单台顶配AI训练服务器的DRAM用量可能达到传统服务器的8倍，需求爆发导致上游将产能转向高利润的HBM（高带宽内存）和DDR5，原有DDR4产能被挤压，市场出现缺口。 近期，凤凰网科技获悉，国产品牌长鑫存储，全球第四大DRAM原厂——也跟随趋势，宣布未来聚焦DDR5等高端产品，并于11月发布首款国产DDR5产品，而在10月，其刚刚发布应用于手机、笔记本等低功率场景的LPDDR5X产品。其市场中心负责人骆晓东强调，中国需要稳定的国产DRAM产能，以减少对海外厂商的依赖。 终端震荡：从华强北到手机大厂 涨价效应正快速向下游传导。 深圳华强北一家电脑维修店的老板杨兴国发现，近两个月硬盘价格普遍涨了350元。他常卖的金士顿NV3 1TB硬盘，拿货价从350元涨到700元。“一天一个价格，比投资黄金都划算。”他说。渠道囤货现象也随之而来，一家小贸易商也对凤凰网科技表示：“同行都在囤存储的货，等涨价卖出去，低价回收高价出。” 作为向原厂采购晶圆的模组厂，长期与国内外存储原厂有紧密合作的科摩思，感受到供货周期被拉长。其市场总监辜建文表示，目前涨势主要看上游原厂价格政策进行调整，这导致采购成本波动加剧，对客户的交付周期也随之延长。 辜建文告诉凤凰网科技：“其实近期涨价潮让上游、中游和下游部分囤货商都获得了短期红利，接下来才是重点难题，各终端手中的库存消耗完后，怎么拿到合适价格的货，什么时候入？” 辜建文还发现，客户的备货策略也出现了明显的变化——B端客户备货由短变长。在涨价初期，他们多数认为涨幅有限、趋势平稳，采购以满足短期生产需求为主。但近两月价格涨势幅度变大，他们从短期订单转向长期大量备货，提前锁定BOM（物料清单）成本和保障产品供应，有的已备货至2026年第二甚至第三季度。 压力直接体现在消费电子产品上。小米10月发布的红米K90系列手机，全系起售价较上一代上涨100-500元。小米总裁卢伟冰公开解释，存储成本上涨“远高于预期”，且难以通过提价完全覆盖。Counterpoint报告指出，智能手机BOM成本显著攀升，部分机型涨幅可能高达15%，这将进一步压缩中高端市场的利润率。 并非所有厂商都选择跟涨。华为11月发布的Mate 80系列，标准版价格反而比前代低了800元。一升一降，背后是市场定位的差异与策略的分化。红米K系列定位中端，华为Mate系列定位高端。 集邦咨询已下调2026年全球智能手机和笔记本电脑出货预测，分别调整为年减2%及2.4%。其报告指出，存储器供应紧张可能引发市场新一轮洗牌，“大者恒大”趋势将更加明确。 目前，包括戴尔、惠普、小米、联想等消费电子终端厂商，均对DRAM内存价格上涨表示预警。 至于终端厂商最终是否会有更大程度的风险？辜建文认为，目前对于终端厂商的成本压力较大，终端厂家可能会调整生产节奏，根据现有库存量调节生产量以此控制成本。 来自华强北的贸易商迅丰达电子的“存储老K”对凤凰网科技表示，“目前有的工厂产品售价比较高的，还是会继续采购全新原装的存储芯片。一些中低端产品的工厂接受不了目前高价的存储芯片会选择采购替代料，比如一些平价的国产品牌，甚至会采购一些二手料去生产。有些工厂依旧承受不了的话，在没有违约的情况下，就可能会选择停产或转型。” 辜建文表示，按照目前涨势，下游客户BOM成本上涨，最终的成本是分摊到消费终端。届时，对于电子产品换新需求和频率是否能增长，存在一定疑问。“消费终端的消费力会同步反馈到我们产业链的企业备货量。当价格高到一个程度的时候，消费者无法承受的时候，就会造成需求的减少。”他说。 在中芯国际Q3业绩会上，联合CEO赵海军表示，存储大周期对制造业是正面影响，但对终端厂商OEM来说，带来了价格压力和供应保障的挑战。其表示，从存储器市场规律看，供需的微小失衡会引发价格剧烈波动，根据观察，存储市场如果供应减少5%，价格会翻倍；如果供过于求5%，价格会跌一半。现在至少有接近这样的缺口，因此高价位会持续。 国产储存的窗口期来了？ 这轮由AI驱动的“超级周期”，也为国产存储厂商打开了窗口。 集邦咨询数据显示，2025年第三季度DRAM产业营收环比增长30.9%，达414亿美元。预计第四季度一般型DRAM合约价将环比上涨45-50%。 长鑫存储在11月23日发布DDR5系列最高速率达8000Mbps，最高颗粒容量24Gb，LPDDR5X最高速率10667 Mbps、最高颗粒容量16Gb。据称，这两大产品系列速率、容量双维度均位居业界第一梯队，这标志着国产存储芯片具备与国际一线大厂同台竞技的技术实力。 长鑫存储市场中心负责人骆晓东表示，当前DRAM需求的爆发式增长对市场供给、价格都带来了巨大的影响，中国需要有稳定的国产DRAM产能供应，通过产能扩张和规模效应，减少对海外厂商产能的依赖。 而此前，长鑫存储母公司长鑫科技已于10月10日完成A股IPO辅导验收，按照常规上市节奏，预计将于近几个月内提交上市申请。 与长鑫存储存在关联的兆易创新，在11月24日的第三季度业绩会上宣布，公司计划于2026年实现自主研发的LPDDR4X系列内存产品量产，且已启动小容量LPDDR5X产品的研发布局。 值得提及的是，兆易创新已累计向长鑫科技投资超23亿元人民币，持有长鑫科技约1.88%股权。双方在业务上也有密切的协同关系，长鑫存储为兆易创新提供DRAM产品的代工服务，兆易创新则采购长鑫存储的DRAM产品，并用于其自身的DRAM业务拓展，主要是在利基型DRAM市场。 利基型存储包括利基型DRAM、SLC NAND和NOR Flash等，在制程、容量、应用场景等方面与主流存储产品不同，主要面向电视、工业控制、电力以及AI相关应用中的电源管理模块、RAID卡等特定领域。民生证券在《利基型存储深度报告》中指出，随着国际大厂退出利基存储市场，国产厂商有望承接份额。 赵海军在中芯国际业绩会上也称，AI行业占用了大量产能，导致大供应商放弃了那些“碎片化、少量多样”的市场，而这些被遗忘的市场，正是国内中小供应商的机遇。他同时透露，中芯国际的NOR Flash、NAND Flash等特色存储产品目前订单充足，正是得益于这种溢出效应。 兆易创新也专注于NOR Flash、SLC NANDFlash、利基型DRAM等产品的研发设计。其高管在第三季度业绩说明会上表示，利基型DRAM市场呈现明显的供不应求现象，海外厂商将经营重点转向HBM和DDR5，导致利基型DRAM产能受到挤压。初步预计涨价趋势在未来的两个季度有望得以延续，并在明年后续几个季度维持相对较高的价格水平。 公司也明确表示，长鑫科技协同为兆易创新的利基型DRAM产品提供了稳定产能保障。 在NAND领域，兆易创新专注高性能SLC NAND Flash。随着三星、美光等转向3D NAND并逐步退出2D NAND市场，专注细分市场的企业迎来机会。兆易创新的SLC NAND产品已开始涨价，预计趋势将在明年延续。 招商电子在近期报告中指出，存储行业上行周期中，国内模组公司正快速扭亏为盈，利基存储及产业链公司将持续受益。但分析师也提醒，行业新进入者增多可能导致竞争加剧，若国产产品质量缺乏竞争力，替代进程或将放缓。

细节藏在 系统里 谁都没想到，传说了快两年的三星三折叠手机，就在12月一个憋闷的早晨默不作声的通过Samsung Newsroom发布了。 与早期的预测相同，三星为这款三折叠（tri-fold）产品起了一个波澜不惊的名字：Galaxy Z TriFold，没有跟随Z Fold系列的编号，相当于另起炉灶、重另开新线了。 自此，华为Mate XT系列终于不再是三折叠市场的独苗，而对于消费者来说——有竞争的市场，才是有进步的市场。 只不过它虽然叫做Galaxy Z TriFold，但它的展开方式却不是「外翻内折」的Z字型铰链，而是类似叠被子一样的G型铰链——内屏的两侧向中间合拢，然后才能翻转使用背部的外屏。 这样一来，Galaxy Z TriFold就只有「完全展开」和「完全关闭」两种使用形态，要么用分辨率2160 x 1584的10寸内屏，要么用6.5寸的外屏。 虽然它少了像华为Mate XT和XTs的双折叠使用形态，不过根据我们评测XTs时的实际经验， 「三折叠手机的双折叠形态」并不是那么的常用 ，Galaxy Z TriFold这样的取舍并没有什么问题。 为了容纳两侧厚度不同的机身，三星也对铰链进行了相当多工艺上的改进。 Galaxy Z TriFold上面的「Armor FlexHinge」采用了双轨结构，让铰链两边的机身协同移动，即使重量不同，也能实现流畅和稳定的开合。 此外，Galaxy Z TriFold也用上了国行W系列的陶瓷。它的6.5寸外屏为康宁大猩猩玻璃陶瓷2.0，两侧的机身背板则采用了「陶瓷玻璃纤维增强聚合物背板」，相比Z Fold7的玻璃显著增强了抗裂性—— 但坏处也显而易见：Galaxy Z TriFold的三块亮面背板是毋庸置疑的指纹收集器，再加上它只有黑色一种配色，随用随擦是在所难免的了。 此外，三星也对折叠方式做出了规范，系统会在折叠的时候给出视觉提示，内屏没有完全展开的情况下是无法使用的，这和七月份泄露的系统预览图基本一致： 不过Galaxy Z TriFold虽然没有严格意义上的双折叠模式，但三星保留了翻开一侧屏幕用后摄自拍的功能，在功能性方面是没有什么严重缺失的。 Galaxy Z TriFold的内外屏规格均为三星Z系列的动态AMOLED 2X，10寸内屏的峰值亮度为1600尼特，背部6.5寸的外屏则可以达到2600尼特，规格几乎与Z Fold7如出一辙。 而和Z Fold7如出一辙的不只是外屏规格，Galaxy Z TriFold同样搭载着2亿像素f1.7主摄、1200万像素超广角和抽象的1000万像素3倍长焦——有这样的「扎实」参数，几乎不用期待它的拍照表现了。 此外，Galaxy Z TriFold同样用着Z Fold7同款的骁龙8 Elite for Galaxy定制版处理器，无论何种容量都标配16GB内存，只有512GB和1TB两种SKU，相比12+526GB的Z Fold7稍显厚道。 比较值得注意的是，三星在Galaxy Z TriFold上采用了一些新的材质工艺。比如这次除了传统的铝合金边框之外，Galaxy Z TriFold的中轴盖板从铝换成了钛金属，可以有效防止面积更大的盖板上出现划痕。 现阶段，在「上万元」这个超高端价位段里，（除了iPhone）怎么用软件来辅助提升硬件能力才是厂商的重点，而三星作为目前少数几个从手表到电视都有涉猎的「全生态」玩家之一，应该能为我们交出一份不错的答卷。 其中最主要、和华为Mate XTs差别最大的，就是三星OneUI里面引以为傲的DeX模式了。 三星在Galaxy Z TriFold上首次允许 在不外接显示器的情况下激活DeX模式 ，在10寸的内屏上打开一套完全基于键鼠的准电脑级桌面，这一点要比Mate XTs上的「自由多窗」模式更彻底一些，用起来也的确更像小电脑了。 此外，Galaxy Z TriFold的DeX模式还支持像Windows和macOS那样添加第二块虚拟桌面，用户可以快速在两个桌面的应用组之间切换，毕竟有了16GB就是比较豪爽。 只不过华为Mate XTs支持手写笔，而坚持深耕手写笔操作多年的三星似乎在慢慢放弃这条路。Galaxy Z TriFold和今年的Z Fold7一样，同样是从物理上移除了手写笔的检测硬件，支持的外设只剩下了蓝牙键鼠。 只不过如果真的要用三折叠移动办公的话，一个专门的鼠标蓝牙还是要比华为M-Pen 3的「空鼠模式」实用许多的，当然，Mate XTs也是能外接鼠标的。 此外，得益于谷歌和OneUI的双重加持，我们预计Galaxy Z TriFold对于软件的超宽屏适配会有一个比较好的表现——当然，仅限于规范开发的国外app。至于极个别国产毒瘤app连华为都不做适配，自然也不会适配三星了。 目前，三星Galaxy Z TriFold的售价尚未公布，海外官网也仅仅显示从12月9日10点起接受预定。 根据三星的介绍，这款三折叠产品不会全球开售，而是12月12日在韩国首销，后续推广至中国、新加坡、阿联酋等区域，美版则要等到2026年第一季度。 不过好消息是，目前国行三星商店已经上线了新品预购入口，三星也在盖乐世社区表示将于12月9日早10点开启预售，但国行售价仍未公布。 根据部分海外博主的上手预测，Galaxy Z TriFold最终的售价可能会落在2400美元左右（约合人民币17000元），国行的最终定价有希望落在17999档，但更多预测都怀疑三星会上调至2万元左右。 总之，作为目前全球三折叠手机市场的唯二玩家，华为和三星各自会在三折叠这个形态里玩出什么花样，还是相当让人期待的。 无论是One UI vs鸿蒙，还是DeX vs自由多窗，怎么让这些价格动辄两万多的「天顶星旗舰」实现软件带动硬件、戴着镣铐跳出最漂亮的舞蹈，才是真正的重中之重。

时代的风 吹到这里 在今天的影像市场，「一机难求」这个词，听起来多少有点魔幻。 手机影像已经卷到天际，专业相机的性能严重过剩，按理说，消费者应该更挑剔，厂家应该更内卷才对。 但理光GR4是个例外。 从发布开始，它就没怎么正价卖过，门庭若市这个词，用来形容一家卖APS-C卡片机的品牌，真是奇景，时间快进到今天，GR4的价格依然坚挺在高位上—— 你要么接受捆绑其他套餐购买的方案，要么加价在黄牛手上拿货，除此之外，你几乎没有任何办法原价买到GR4。 所有相机厂商都在拼命「自救」的年代，理光却在一两年内，从「小众」成功变得备受追捧，为什么？ 这两个月里，我一边用GR4拍了不少照片，一边有了些答案。 稳扎稳打的改善型更新 我们先来认真看看理光GR4本身。 上手这两个月，要说最先抓住我的，就是那几个胶片影调。 「正片」最早出现在理光2009年发布的GR Digital系列上，作为GR招牌性胶片影调，正片是目前社交媒体上热度最高的选择之一，凭借其独有的通透与呼吸感，让人一眼认出这是GR拍摄的。 另一个明星胶片影调是「负片」，出现于2019年推出的GR3上，与正片对比偏高的浓郁风格不同，负片的整体观感更为柔和，微妙地偏向翠绿和橙红的色调，也很有辨识度。当然，这个影调的评价非常两极，爱的人爱死，不喜欢的也真受不了。 除了这两棵常青树，在GR4上还有两个新的胶片影调——电影黄/电影绿。 「电影黄」不是简单地加一层暖色。它给我的感觉更像一种褪色的、温暖的记忆感，高光被压得很舒服，暗部细节还在，很有一种老电影胶片的质感。 「电影绿」则完全是另一种味道。它带着一种清冷和疏离感，色调沉静，尤其在表现城市夜景或阴天时，那种偏向青绿的冷调，非常有艺术电影的调调。 从经典的正片、负片，到新加入的电影感，理光持续十几年在直出这件事上的投入显而易见，也为其现在的炙手可热打下了坚实的基础。 体验过新的胶片影调，GR4另一个真正让我印象深刻的，是它的防抖系统。 这一代，理光将防抖从三轴升级到了五轴，这个参数变化，落实到实际使用上，带来的体验是质变的——在双脚站定，单手手持GR4的情况下，用1s的快门速度拍摄照片，几乎可以达到百分之百的成功率，换成双手握持，用2s快门也有近五成几率成功。 这个防抖表现，相较前代是飞跃性的提升，两者几乎没有可比性。 防抖的显著增强，带来两个实实在在的好处——受限于APS-C画幅，GR高感表现一直有局限，更强的防抖允许快门速度大幅降低，让我能用更低的感光度去拍摄，夜景和室内暗光下的画面纯净度改善非常明显。 另一个好处，则是与GR系列经典的ND减光镜形成了配合，在强悍防抖的加持下，即便是在光线充足的白天，我也可以开启ND滤镜，手持拍摄慢门，轻松创造出流动的特殊效果。 有意思的是，GR4的视频最高规格仍为1080P 60fps，也就是说，这个大幅度的防抖升级并不是为了和大多数相机一样顺应视频潮流而准备的，GR4依旧是我们熟悉的那台只专注于静态影像的相机。 与防抖一起升级的，还有对焦，GR4的对焦系统也有相应的升级，实际体验下来，追焦有了比较明显的升级，但和第一梯队还是有明显差距，同时在暗光环境下偶尔也会出现来回拉风箱的情况， 最后值得一提的，是在GR4发售前，理光推出的全新app。 GR系列的老用户都知道，上一代的app无论从UI设计还是从图传速度来说，放在2025年都略显过时了，新推出的GR WORLD经过重新设计，拥有全新的UI，且久受诟病的2.4GHz WI-FI传图也升级到了5GHz，传输一张RAW格式照片只需要几秒钟时间，效率大幅度提升。 这个升级，再次踩中了在社交媒体时代，使用者对于照片「拍摄-分享」流程效率的重视，补齐了以往分享需要回家导出照片的短板。 胶片影调、防抖与更好用的app，从这几个主要升级来看，其实理光并没有改变GR的调性，依旧在按着自己的路子进行常规迭代，做一台更好的静态快拍相机。 但从胶片时代就这样一路走来的GR系列，怎么也没想到，在诞生的第29年，时代的风口吹到了这条路上。 GR没变，但世界万变 那这个「风口」，到底是什么？ 这几年，影像厂家们的日子真不算好过——智能手机的冲击是全方位的，市场份额一缩再缩，不变，就是等死。 于是，大家开始了轰轰烈烈的「自救」运动，我观察下来，厂商主要选了两条路： 第一条路：卷专业，卷性能。 这是最传统的一条路，延续了相机行业一贯以来专业工具定位的逻辑：用绝对的性能与画质，来创造更强的生产力，从而压制对手。 你手机不是一英寸吗？我就上全画幅，甚至中画幅，用绝对的画质和性能鸿沟，守住专业摄影师和重度发烧友的基本盘； 而近几年，这条路的终极形态，就是All in视频，相机的「即时性」和「便携性」打不过手机，那就去拍手机胜任不了的Log、RAW视频，vlog成了所有人的救命稻草，相机，正儿八经地从「拍照工具」变成了「视频生产力工具」。 第二条路：卷情怀，卖「氛围感」。 相比前一条路，这条社交媒体带起来的路更显微妙与感性，由市场需求汇聚而来，参数不一定最强，但一定要好看，要有调性，它们卖的不是工具，是一种生活方式，一个情绪出口。 富士与它的胶片模拟是这条路的鼻祖，后来的尼康Zf、Zfc也是这个思路，好看的外观让用户有带出去的欲望，直出的滤镜让用户几乎没有门槛地个性化表达。 这两条路，几乎概括了所有相机厂商的求生姿态，有的两条路都走，有的专攻一条。 聊到这里，我们再回头看GR4那个居高不下的价格，很多人不理解，一个底不大、不能换镜头、视频拉胯的卡片机，凭什么卖这么贵？ 这就是我那两个月用下来的第一个观点：理光没变，是世界变了。 理光从1996年的胶片GR1开始，几十年来一直在做同一件事：造一台能塞进口袋的、画质最好的「快拍」工具，这种定位的相机，在哪个时代都会显得颇有些偏执，甚至有点不合时宜。 巧就巧在，风向变了——从2017年、2018年开始，以小红书为代表的、充满「活人感」，以图文这类负担较轻的媒介为主的社交媒体平台开始迅速崛起，由于静态图片占据了平台大幅的版面，无论什么类别的帖子，都需要在封面图上下功夫，风格化、门槛低，成为了博主们的迫切需求。 零散的需求汇聚成大海，大家突然发现，理光玩了十几年的直出色彩，尤其是那些胶片影调，提供了一种开箱即用的风格化，不需要复杂的后期，就能拍出有故事感的照片，这完美契合了当下社交媒体对个人表达的渴求。 于是，GR凭借鲜明的直出迅速传播开来，进而再拓展到广大用户群体。 到了这一步，其实GR还称不上独特，富士、松下，甚至哈苏与徕卡也以色彩著称，真正让GR制胜的，还是它几十年来最核心的价值——独一无二的便携性。 这就引出了第二个观点，也是理光的立身之本： 比它好的没它小，比它小的没它好。 这就是GR4独特的生态位。 你想要比它画质好的？有，全画幅微单，但很难揣进裤兜里；你想要比它更小的？有，手机，但画质与质感又和APS-C没法比。 它在画质和便携这两个永恒的矛盾之间，找到了黄金分割点。 对于非专业摄影师的博主和用户而言，一台可以轻视塞进口袋的相机，是远比挂在脖子上的「砖头」更有吸引力的，人们一开始只是冲着它的「滤镜」，但最后让他们心甘情愿掏钱的，还是这个「滤镜+画质+便携」的有机组合。 就此，这个曾经被誉为「街头匕首」、定位是专业摄影师副机的GR，顺利完成了由小众到大众的转身。 在2025年的今天，这个组合依然没有平替。 没有平替，自然就有了议价权。

进入第四季度，智能手机行业的“年度旗舰大战”如火如荼地展开。11月25日，伴随着华为Mate 80系列、折叠屏手机Mate X7正式发布，给本就竞争激烈的市场注入了新的变数。 在11月25日的发布会上，余承东公布了产品起售价：Mate 80基础版4699元起，Mate 80 Pro系列5999元起，Mate 80 Pro Max系列7999元起，Mate 80非凡大师系列11999元起。Mate 80起售价较上一代降低800元，Mate 80 Pro与Mate 80 Pro Max系列也比上一代同档机型降价500元。 作为华为今年下半年的旗舰机型，华为Mate 80系列在软硬件系统层面都进行了革新。软件方面，该产品出厂首发搭载HarmonyOS 6操作系统；在硬件上，据中银国际、东吴证券等机构的研报披露，华为Mate 80系列搭载新一代麒麟芯片——7纳米制程的麒麟9030 SoC（系统级芯片），这也是麒麟旗舰芯片在全面回归后的一次重要迭代。对于这一信息，《每日经济新闻》记者也从业内专家及渠道商方面得到确认。 此前，华为已经公开昇腾和鲲鹏芯片的路线图，在今年9月三折叠屏手机Mate XTs非凡大师的发布会上，华为已不再避讳公开处理器型号——麒麟9020芯片，这也是该芯片2021年后首次在发布会上亮相，意味着华为供应链的持续改善。 值得一提的是，华为Mate 80系列在命名策略上进行了调整，把原本的Pro+变更为Pro Max。IDC提供给记者的数据显示，2025年第三季度，在中国600美元以上高端手机市场中，华为的市场份额为34.4%，苹果为48%。纵观2023年全年，华为的市场份额为21.4%，苹果为61.8%。华为在高端市场的复苏步伐正在加快。 搭载麒麟9030芯片 Mate系列作为华为的高端旗舰系列，一直为华为手机出货量作出重要贡献。高峰时期，华为Mate 40系列的销量曾达到3000万台，占到市场总份额的10%以上，并托举华为拿下当年国内高端手机第一。 在Mate 80系列上，华为搭载了多项前沿技术，例如第二代昆仑玻璃，第二代红枫影像技术，700MHz无网应急通信。余承东在发布会上介绍称：“当自然灾害发生以后，如果地面网络没有信号，或者基站瘫痪以后，我们最远能够覆盖超过13公里的通信距离，可以穿透三堵墙，救援队拿着救援手机可以和Mate 80系列手机进行无网的通信应急救援，多一份连接，多一份希望。” 另据记者了解，华为Mate 80系列还搭载了新一代麒麟芯片9030，这意味着华为在芯片技术领域再次取得重要突破。“搭载新芯片（麒麟9030）值得高兴，期待华为快速攻克后续难关。”一位渠道商对记者说道。 硬件之外，Mate 80系列也是首款搭载鸿蒙6系统的旗舰机型。余承东宣布，鸿蒙生态已有超30万个应用与元服务。“鸿蒙生态迎来关键进展，头部应用全面适配，中长尾应用正在加速覆盖。同时，鸿蒙设备日均新增10万个。” 随着生态持续完善，鸿蒙已与安卓、iOS形成全球移动操作系统“三足鼎立”格局。不过，相比业界成熟的操作系统生态，鸿蒙还需要进一步发展。 市场竞争胶着 当前，手机行业呈现胶着的竞争态势。研究机构Omdia的数据显示，2025年第三季度，中国智能手机市场同比下降3%，市场仍处于调整阶段，同时，头部厂商排名差距持续收窄，第一名与第五名的份额差距仅为3%。 具体来看， vivo 以1180万台的出货量重回第一，占据18%市场份额。华为紧随其后，出货量1050万台，市场份额为16%。苹果延续上一季度的涨势，出货量1010万台，排名相较去年同期上升两位，跻身市场前三。 对华为而言，Mate 80系列是其能否进一步拿回高端手机市场的关键之作。过去几年，因供应链挑战，华为高端市场份额一度收缩，其他国产品牌高端市场突围不利，苹果独占鳌头。 对于Mate 80系列的市场前景，Omdia分析师钟晓磊（Lucas Zhong）对记者分析称：“Mate 70系列截至2024年第三季度出货约850万台。今年华为加速推进‘纯血鸿蒙’战略，短期内因新系统生态与兼容性磨合，市场表现可能出现一定波动。但长期来看，该战略有望进一步构筑生态壁垒，减少核心用户流失。” 然而，华为在冲击高端的过程中仍面临苹果的强劲竞争。Counterpoint数据显示，iPhone 17系列自9月上市以来在中国市场表现强劲。“前两周iPhone 17基础款的销量几乎是同期iPhone 16基础款的两倍；进入10月份，iPhone 17 Pro同比iPhone 16 Pro高出近三分之二。9月29日至10月12日期间，苹果整体销量增长了40%。” Counterpoint认为，对于刚刚回归的Mate 60和Mate 70系列来说，Mate 80的上扬空间有限，但一定程度上会持续巩固华为整体在高端的地位。 不过前述渠道商持乐观态度。“有些手机厂的新品价格（相比上一代）有了明显提高，性价比感觉不香了，华为Mate 80系列这次的定价比预计的要低。” 记者注意到，在当前全球存储芯片价格飙升、国产旗舰手机普遍涨价的情况下，华为Mate 80的起售价较上一代下调800元，一些其他机型也有500元左右的降幅，该定价策略或将为其在胶着的市场竞争中赢得更多机会。

在新能源汽车、光伏逆变器、工业电机控制等“高效能源转换”场景中，如果说功率器件是能量传输的核心载体，那么驱动技术则是决定功率器件性能发挥的“神经中枢”。它不仅要实现“控制信号到功率信号”的精准放大，还要兼顾可靠性、效率与成本平衡，已成为制约电力电子系统升级的关键环节。 栅极驱动器是低压控制器和高压电路之间的缓冲电路，用于放大控制器的控制信号，从而实现功率器件更有效的导通和关断。很多高功率主流应用都需要MCU来控制开关的导通和关断。由于工艺节点较小，当代MCU的I/O总线限制为1.8V或3.3V。需要栅极驱动器来提供足够的电压，从而实现开关的导通和关断。 栅极驱动器的作用，是将控制器的低压信号转化为更高电压的驱动信号，以实现功率器件稳定导通和关断。栅极驱动器能提供瞬态的拉和灌电流，提高功率器件的开关速度，降低开关损耗。并能够有效隔绝高功率电路的噪声，防止敏感电路被干扰。此外，通常驱动器集成了保护功能，可有效防止功率器件损坏。 每个开关都需要一个合适的驱动器。栅极驱动器IC充当控制信号（数字或模拟控制器）和功率开关（IGBT、MOSFET、SiC MOSFET和GaN HEMT）之间的接口。与分立式栅极驱动器解决方案相比，集成栅极驱动器IC可降低设计复杂性、缩短开发时间、减少物料清单(BOM)和电路板空间，同时提高可靠性。 也正因此，越来越多的集成隔离、保护、智能诊断甚至动态驱动能力的芯片变得流行。 栅极驱动器在MOSFET开/关操作中的驱动方式和电流路径。MOSFET模型包括寄生电容，如CGD和CGS，它们必须充电和放电。 驱动技术核心组成 功率器件驱动的本质，是通过驱动电路为功率器件的栅极（或基极）提供符合需求的电压/电流信号，实现器件的“导通”与“关断”控制，其核心逻辑可拆解为三大模块： 信号隔离模块 功率回路（高电压、大电流）与控制回路（低电压、小电流）需严格隔离，避免相互干扰导致器件损坏或系统误动作。目前主流隔离方案分为三类： 光电隔离：通过光耦实现信号传输，成本低、技术成熟，但存在传输延迟（典型50-200ns）、温漂大等问题，适用于中低速场景（如工业变频器）。 磁隔离：基于磁耦合原理（如隔离式DC/DC、数字隔离器），传输延迟可低至10ns以下，抗干扰能力较差，EMI高，并且高误码率。 电容隔离：利用电容耦合传递信号，传输延迟极短（可达ns级）、温漂小，高频特性优异，具有高共模抑制，低辐射，低误码率特点，但是功耗略高。 栅极驱动模块 根据功率器件类型（IGBT/SiC/GaN）匹配栅极电荷需求： IGBT驱动：需提供足够的栅极充电电流（通常1-10A），避免导通延迟过长导致开关损耗增加，同时需在关断时快速抽取栅极电荷，抑制电压尖峰； SiC/GaN驱动：由于器件栅极阈值电压低（SiC约2-4V，GaN约1.5-3V）、输入电容小，需更精准的电压控制（避免过压击穿）和更快的开关速度（适配高频工况），部分方案还需集成负压关断功能，防止器件误导通。 保护模块 保护模块分为普通保护和智能保护两部分。 普通保护只有欠压保护、死区时间保护、过流过压过热等；而智能栅极驱动集成了米勒钳位、退饱和保护、软关断电流、电源告警上报等复杂的保护功能。 如图所示，纳芯微总结了关于栅极驱动的关键参数。 米勒钳位的重要性 米勒钳位在高压、高速的开关瞬态中扮演着至关重要的角色。其核心使命，就是通过实时抑制因桥臂串扰引发的栅极电压正向抬升（防误导通）与负向过冲（防栅极损伤），从根本上保障系统的可靠性与运行效率。那么，实现这一关键功能的设计精髓何在？答案清晰而直接：为干扰电流额外开辟一条独立、快速的低阻抗泄放路径，从而将栅极电压牢牢钳位在安全的稳定区间内。 驱动器的主要供应商 驱动器本质上来说，也是一种电源，因此各大电源厂商都有着相关的产品提供，特别的是，由于驱动器和功率器件二者关系紧密，因此主流的功率器件厂商都希望结合自身的驱动器进行销售。 英飞凌 作为全球功率半导体领域的领军企业，英飞凌EiceDRIVER系列栅极驱动器极具代表性。全面的栅极驱动集成电路产品组合，提供0.1A至18A的典型输出电流选项。另外，栅极驱动器集成了多种保护功能，包括快速短路保护（DESAT）、有源米勒钳位、交叉导通保护、故障保护、关断保护及过流保护，使其适用于硅基及宽禁带功率器件，包括CoolGaN（氮化镓）及CoolSiC（碳化硅）器件。 英飞凌凭借数十年的应用专业经验和技术研发积累，打造了涵盖从简易高性价比方案到全功能高端产品的栅极驱动集成电路产品组合，具有四大核心技术。 无芯变压器（CT）技术是一种磁耦合式隔离技术，集成了片上变压器。该变压器负责在输入芯片与输出芯片之间传输开关信息及信号。这类栅极驱动器功能基础、具备强化隔离特性，已通过UL及VDE认证。 电平位移绝缘体上硅（SOI）技术支持坚固耐用的高压单片集成电路设计。SOI技术可提供低阻抗集成自举二极管，能抵御负瞬态电压尖峰，且可消除引发闩锁效应的寄生晶体管。 电平位移结隔离（JI）技术是经行业验证的标准MOS/CMOS工艺。高压集成电路（HVIC）及抗闩锁CMOS技术支持单片结构设计，实现了性能与价格的最优平衡。 非隔离（N-ISO）技术可支持最高35V的单片式地参考栅极驱动器。 EiceDRIVER™栅极驱动器具备多种先进特性，包括集成自举二极管（BSD）、过流保护、关断功能、故障报告、使能控制、输入滤波、运算放大器（OPAMP）、去饱和检测（DESAT）、可编程死区时间、交叉导通保护、有源米勒钳位、主动关断、独立灌/拉输出、短路钳位、软关断、两级关断、压摆率控制、电隔离（功能隔离、基本隔离及强化隔离）等。 ADI ADI表示，选择栅极驱动器IC时，工程师必须考虑若干关键因素。其中一些因素可能与具体应用有关，比如在太阳能转换应用中，栅极驱动器可能会遇到各种各样的输入电压和功率需求。 高端电压：根据具体应用，高端MOSFET将承受全部电源电压，为此，栅极驱动器必须具有较高的安全裕度。 共模瞬变抗扰度(CMTI)：快速开关操作会产生高噪声电平，并且高端和低端MOSFET之间的电压差可能较高，因此选择具有高瞬态抗扰度特性的栅极驱动器至关重要。 峰值驱动电流：对于较高功率的设计，栅极驱动器需要向MOSFET提供高峰值电流，以便对栅极电容快速充电和放电。 死区时间：为了防止MOSFET因同时导通而被击穿，半桥电路的高端和低端开关之间须设置短暂的死区时间，这非常关键。强烈建议选择可配置死区时间的栅极驱动器，以实现更佳效率。有些栅极驱动器包含默认死区时间，以防止击穿故障。 ADI总结了驱动器选型的各种指标，包括驱动强度、时序、隔离、抗扰度几个重要指标，此外还包括其他指标，如电源电压、容许温度、引脚排列等，这些是每个电子器件的共同考虑因素。一些驱动器，如ADuM4135和ADuM4136，也包含保护功能或先进的检测或控制机制。 ADuM4135采用了ADI公司的iCoupler®技术，提供最高达100 kV/μs的共模瞬变抗扰度，能够应对此类应用。但是，提高CMTI性能往往会产生额外的延迟。延迟增加意味着高端和低端开关之间的死区时间增加，这会降低性能。在隔离式栅极驱动器领域尤其如此，因为在此类领域中，信号在隔离栅上传输，一般具有更长时间的延迟。但是，ADuM4135不仅提供100 kV/μs CMTI，而且其传播延迟仅为50 ns。 ADuM4135 德州仪器 德州仪器拥有完整的栅极驱动组合。 德州仪器推出了栅极驱动强度动态可调的驱动器。 虽然SiC MOSFET更高效，但是就像任何其他晶体管一样，它们在开关时会产生一些功率损耗，而这些功率损耗会影响牵引逆变器的效率。在开关瞬变期间，电压和电流边沿会重叠并产生功率损耗。高栅极驱动器输出电流可以对SiC FET栅极进行快速充放电，从而实现较低的功率损耗。然而，开关行为会在温度、电流和电压范围内发生变化，因此以尽可能快的速度进行开关并非尽如人意。SiC FET上电压的快速转换（称为漏源电压(VDS)的瞬态电压(dv/dt)）会以传导接地电流形式产生电压过冲和电磁干扰(EMI)。鉴于绕组间的电容可能发生短路，电机本身会受到高dv/dt的影响。栅极驱动器电路可以控制功率损耗和开关瞬态。 通过使用栅极电阻来控制栅极驱动器的输出拉电流和灌电流，有助于优化dv/dt和功率损耗之间的权衡。可调输出驱动强度的栅极驱动器，可以针对温度和电流范围内的SiC MOSFET压摆率变化进行优化。 可调节功能对牵引逆变器性能有利，因为它能够实现更低的EMI和更低的损耗，进而提高效率来帮助延长行驶里程。TI的UCC5870-Q1和UCC5871-Q1栅极驱动器具有30A驱动强度，因此可以非常方便地基于更改和优化栅极电阻来实现可调栅极驱动解决方案。此外，它们具有电隔离牵引逆变器和100kV/µs CMTI，因此可以在采用快速开关SiC技术的高压应用中轻松地使用。 安森美 栅极驱动器的设计可确保电源应用中使用的MOSFET安全运行。选择栅极驱动器时需要考虑的因素包括： 米勒电容(CDG)与寄生导通(PTO) SiC MOSFET容易产生寄生导通(PTO)，这是由于米勒电容CDG在开关过程中将漏极电压耦合到栅极。当漏极电压上升时，该耦合电压可能会短暂超过栅极阈值电压，使MOSFET导通。在同步降压转换器等电路中，MOSFET通常成对使用，其中有一个高压侧和一个低压侧MOSFET，而PTO会导致这些电路中的“直通”（shoot-through）导通。 当高压侧和低压侧MOSFET同时导通时，就会发生直通导通，导致高压通过两个MOSFET短路到GND。这种直通的严重程度取决于MOSFET的工作条件和栅极电路的设计，关键因素包括总线电压、开关速度，(dv/dt)和漏极-源极电阻(RDS(ON))。在最坏的情况下，PTO会引发灾难性的后果，包括短路和MOSFET损坏。 与PCB布局和封装有关的寄生电容和电感也会加剧PTO。 栅极驱动器电压范围 栅极驱动的正电压应足够高，以确保MOSFET能够完全导通，同时又不超过最大栅极电压。在使用碳化硅MOSFET时，必须考虑到它们通常需要比硅MOSFET更高的栅极电压。同样，虽然0 V的电压足以确保硅MOSFET关断，但通常建议SiC器件采用负偏置电压，以消除寄生导通的风险。在关断过程中，允许电压向下摆动到-3 V甚至-5 V，这样就有了一定的余量或裕度，可以避免在某些情况下触发VGS(TH)，从而意外导通器件。以这种方式负偏置栅极电压还能降低MOSFET的EOFF损耗。例如在驱动安森美的第2代"EliteSiC M3S "系列SiC MOSFET时，将关断电压从0 V降到-3 V，可将EOFF损耗降低25%。 负栅极偏置（来源： AND90204/D ） RDS(ON)是当器件通过施加到栅极上的特定栅极到源极电压（VGS）导通时，MOSFET的漏极和源极之间的电阻。随着VGS的增加，RDS(ON)通常会减小，一般来说，RDS(ON)越小越好，因为MOSFET被用作开关。总栅极电荷QG(TOT)是使MOSFET完全导通所需的电荷，单位为库仑，通常与RDS(ON)成反比。QG(TOT)电荷由栅极驱动器提供，因此驱动器必须能够提供拉灌所需的电流。 优化功率损耗 要利用碳化硅MOSFET降低开关损耗，设计人员需要注意权衡考虑多方面因素。SiC MOSFET的总功率损耗是其导通损耗和开关损耗之和。导通损耗的计算公式为ID2*RDS(ON)，其中ID为漏极电流，选择RDS(ON)较低的器件可将导通损耗降至最低。然而，由于上述QG(TOT)与RDS(ON)之间的反比关系，较低的RDS(ON)值要求栅极驱动器具有较高的拉电流和灌电流。换句话说，当设计人员选择RDS(ON)值较低的SiC MOSFET来减少大功率应用中的导通损耗时，栅极驱动器的拉电流（导通）和灌（关断）电流要求也会相应增加。 SiC MOSFET的开关损耗更为复杂，因为它们受到QG（TOT）、反向恢复电荷(QRR)、输入电容(CISS)、栅极电阻(RG)、EON损耗和EOFF损耗等器件参数的影响。开关损耗可以通过提高栅极电流的开关速度来降低，但与此同时，较快的开关速度可能会带来不必要的电磁干扰（EMI），特别是在半桥拓扑结构中，在预期的开关关断时还可能触发PTO。如上所述，还可以通过负偏置栅极电压来降低开关损耗。 安森美NCP(V)51752系列隔离式SiC栅极驱动器专为功率MOSFET和SiC MOSFET器件的快速开关而设计，拉电流和灌电流分别为4.5 A和9 A。NCP(V)51752系列包括创新的嵌入式负偏压轨机制，无需系统为驱动器提供负偏压轨，从而节省了设计工作和系统成本。 罗姆 罗姆最新推出的BM6GD11BFJ-LB是一款专为高压GaN HEMT定制的隔离式栅极驱动器IC。这款紧凑型驱动器专为高达2MHz的开关频率而设计，并支持低至65ns的最小输入脉冲宽度，可释放GaN所需的速度和效率，同时提高高性能应用中的安全性、信号完整性和设计简单性。针对氮化镓电源应用优化的开关器件与硅或SiC晶体管不同，GaN HEMT需要极快和精确的栅极驱动特性才能充分发挥其效率潜力。罗姆的BM6GD11BFJ-LB专为应对这一挑战而设计，以高达2MHz的速度提供可靠的开关。其电流隔离栅耐压高达2500Vrms，即使在高压设计中也能确保控制域和电源域之间的安全信号传输。 该器件支持4.5V至6.0V之间的栅极电压，非常适合全面增强大多数GaN器件。主要增强功能包括最大输入到输出延迟仅为60ns，最小输入脉冲宽度为65ns，比罗姆的上一代产品缩短33%，使其适用于激进的占空比开关，而不会失去控制保真度。结合在-40°C至+125°C的宽温度范围内运行的能力，它非常适合恶劣的工业和商业环境。 意法半导体 意法半导体最新推出了STDRIVEG210和STDRIVEG211半桥GaN栅极驱动器是为工业或电信设备母线电压供电系统、72V电池系统和110V交流电源供电设备专门设计，电源轨额定最大电压220V，片上集成线性稳压器，为上下桥臂提供6V栅极驱动信号，拉电流和灌电流路径采用分开独立设计，可以灵活控制GaN的开通和关断。 STDRIVEG210主打功率变换应用，例如，服务器电源、电池充电器、电源适配器、太阳能微型逆变器和功率优化器、LED灯具、USB-C电源。谐振和硬开关两种拓扑均适用，300ns启动时间大幅缩短唤醒时间，在间歇工作（突发模式）期间，效果尤为显著。 STDRIVEG211配备过流检测和智能关断功能，适用于除电源应用以外的电动工具、电动自行车、泵、伺服等电机驱动和D类音频放大器。两款器件都集成自举二极管，可轻松为上桥臂驱动器供电，从而简化系统电路设计，尽可能降低物料清单成本（BOM）。栅极驱动路径采用分开独立设计，拉电流2.4A，灌电流1.0A，确保开关转换快，方便优化dV/dt参数。保护功能包括防止交叉导通的互锁功能。上下桥臂驱动器的传输延时都很短，匹配时间为10ns，可降低半桥的死区时间。欠压锁定（UVLO）功能可防止器件进入低效率或危险工况，而面向电机驱动应用的STDRIVEG211还具有额外的上桥臂UVLO保护功能。两款器件还具有过热保护功能和高达±200V/ns的dV/dt抗扰度，而高达20V的输入电压容差有助于简化控制器接口电路。待机引脚有助于简化电源管理设计，独立的电源接地引脚方便设计更好的开尔文源极栅极驱动或电流分流检测电路。 纳芯微 截至目前，纳芯微栅极驱动产品累计出货量超11亿颗，其中新能源汽车领域约3.9亿颗，广泛应用于电驱、OBC/DCDC等核心系统，在国内电驱市场份额位居第一。 近期，由工业和信息化部指导、中国汽车工程学会组织编制的《节能与新能源汽车技术路线图3.0》（以下简称“路线图3.0”）正式发布。 在驱动芯片领域，路线图明确了技术发展方向：产品将向高性能、集成化、高可靠性与高安全性演进。比如，栅极驱动的关键技术趋势包括提升驱动电流能力，提供智能驱动电流调节和共模瞬变抗干扰度。此外，在工艺上还将攻关垂直MOS工艺、垂直BCD工艺及车规耐高压工艺等，预计到2040年通过设计与工艺优化实现桥驱与高边导通内阻进一步降低，全面支持48V系统。 近年来，SiC碳化硅器件因其高耐压、高开关速度、低损耗、高过载能力等优势开始崭露头角。随着光伏与储能系统的持续进化与SiC器件的持续普及，下一代的光伏与储能逆变器系统将更为广泛地应用SiC器件。针对SiC特性，纳芯微推出了优化的隔离栅极驱动解决方案（如NSI660x系列），能够满足系统高压、高效率升级需求。纳芯微同时还提供电流型输入的隔离栅极驱动器（如NSI6801系列），以高速响应、高拉灌电流能力以及强抗扰能力应对更复杂的电磁环境与设计，确保整机系统的高效稳定运行。 总结 栅极驱动技术是高效能源控制的核心，它通过精准放大控制信号、优化开关速度与损耗，并集成多重保护，确保功率器件（如IGBT、SiC/GaN）的可靠运行。随着新能源和工业应用对性能要求的提升，驱动技术正朝着高频化、集成化和宽禁带适配的方向快速发展，成为电力电子系统升级的关键。