三星拟于韩国器兴新建DRAM工厂。

韩国经济日报援引业内匿名人士消息称，三星电子计划在韩国器兴新建一座DRAM工厂，晶圆月产能约10万片。该项目预计投资规模达数十万亿韩元。这片地块原本规划建设研发中心；市场解读此举是为应对人工智能基础设施投资热潮下持续攀升的存储芯片需求。项目最快或于第三季度动工。

三星高管将获巨额股权激励。

三星电子7月13日宣布，为强化高管责任经营并激发其创造长期业绩，决定处置1,132,477股普通股库存股，作为长期绩效奖金发放给928名高管。

根据公告，本次处置的价格以7月10日收盘价（285,000韩元）为基准，预计总金额约为3,227亿韩元。

处置股份将于7月13日从公司库存股账户直接划转至个人账户。据悉，本次处置的股份数量仅占公司发行股份总数的0.019%。

存储扩产预期再度强化！三星电子晶圆厂建设提速。

三星电子原计划于2030年至2031年让园区内6座晶圆厂中的首座投入运营；②按照2029年投产目标倒排工期，业内测算，地块平整等前期配套工程需于今年下半年全面启动；③据此前三星披露投资规划，企业将向平泽、龙仁两大半导体产业集群合计投入2030万亿韩元。

三星电子计划将龙仁首座芯片工厂的投产时间提前至2029年。

据韩联社，行业消息人士周日透露，三星电子正着手将其龙仁芯片集群首座半导体工厂的投产时间提前至2029年，比原计划提早一至两年。“首座工厂提前投产将使三星能够更快地应对全球对人工智能芯片迅速增长的需求，”一位行业官员表示。另外，三星上月表示，根据其超级项目投资计划，计划在平泽和龙仁半导体集群投资2,030万亿韩元（约合1.35万亿美元），并投资400万亿韩元在首尔以南270公里的光州建设两座新的芯片工厂。

AI“狂吞”存储恐冲击经济，美商务部长敦促韩国“芯片双雄”在美扩产。

美国商务部长卢特尼克周四呼吁三星电子和SK海力士加快扩大在美国的内存芯片生产，以帮助缓解人工智能发展所需关键元件的全球性短缺；②他表示，他正在与这两家韩国存储芯片制造商进行磋商，美国需要建立更加稳健的芯片供应链。

三星和SK海力士推迟应用混合键合封装工艺，因业内迫切性已大幅降低。

三星电子、SK海力士原计划在HBM4用混合键合技术，但目前正在重新考虑。混合键合属于半导体先进封装技术，业内预计最早用于16层HBM4E。两家公司据悉决定继续用传统热压键合技术，因行业放宽HBM厚度标准、客户高堆栈需求延迟调整计划。

三星电子近5万人瓜分超15亿。

近日，三星电子在韩国金融监督院电子公示系统DART披露董事会决议，一次性划拨108.34万股库存普通股用于员工股票薪酬，总核定价值3445亿韩元（折合人民币15.36亿元），覆盖近5万名员工。此次三星电子股票激励的分配范围划定为DX消费电子事业部与CSS复合半导体解决方案团队，符合条件员工合计49345人。按公告基准7月6日收盘价31.8万韩元/股测算，平均每人可分得约22股，对应账面价值700万韩元（折合人民币3.12万元）。

三星开始量产用于英伟达Vera Rubin平台的先进固态硬盘。

三星电子已开始量产其最先进的数据中心存储设备，这一产品将在英伟达即将推出的Vera Rubin平台内使用。这款企业级固态硬盘产品叫做PM1763，于今年早些时候在英伟达GTC大会上发布。三星当时将它与下一代高带宽内存HBM4和低功耗模块SOCAMM2一起展示，作为专为AI数据中心设计的综合方案的一部分。

三星周三在声明中表示，这款存储设备采用最新的V-NAND闪存芯片和新研发的4纳米控制器，读写速度较前代产品提升逾一倍。PM1763可以减少先进处理器和AI加速器的数据延迟。三星称，为在AI训练和推理过程中保持高速运行，这款硬盘配备了液冷系统。

存储巨头近5万员工，将喜提15.36亿元“大礼包”。

7月7日晚间，三星电子通过韩国金融监督院电子公示系统（DART）披露，公司董事会决议将108.34万股库存普通股划转给员工，用于支付股票薪酬。按7月6日收盘价每股31.8万韩元计算，此次股票激励涉及金额约3445亿韩元，折合人民币15.36亿元。这意味着，相关部门的员工人均将获得价值约700万韩元（折合人民币约3.12万元）的三星电子股票。

公告显示，此次库存股划转对象为三星电子DX（消费电子）部门及CSS事业团队的49345名员工，目的是兑现2026年成果奖劳资协议中的股票薪酬安排。

根据公告，相关股份将于7月8日从公司库存股账户直接划入员工个人证券账户。

同日早间，三星电子披露2026年第二季度初步业绩，营业利润为89.4万亿韩元，同比增长约1810%，超出市场预期。不过，业绩利好并未带动股价上行。7月7日，三星电子股价大跌近7%，报收29.6万韩元/股。